Yazar "Karataş, Ayşe" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    Çok fazlı molibden oksitten molibden disülfür ince film büyütülmesi
    (Necmettin Erbakan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020) Karataş, Ayşe; Yılmaz, Mücahit
    Tek katmanlı molibden disülfür (MoS2), ayarlanabilir yasak bant boşluğu ile gelecek nesil optoelektronik uygulamaları için umut verici, 2-boyutlu yarıiletken bir malzemedir. Bu tez çalışmasında, 400 °C'de reaktif manyetik alan sıçratma yöntemi ile farklı kalınlıklarda büyütülen Mo-O ince filmlerinin sülfürizasyonu ile elde edilen büyük ölçekli MoS2 filmlerinin karakterizasyonu sunulmaktadır. 400 °C'lik kritik Mo-O ince film büyütme sıcaklığında Mo-O yapısının farklı fazları gözlenmiştir. Bu ince filmlerin sülfürlenmesi ile elde edilen MoS2 filmlerde ise yüksek yasak bant boşluğunun yanı sıra yüksek şiddette fotolüminesans etki gözlenmiştir. Gelişmiş PL şiddetleri, MoS2'nin katlanmasına ve MoO2-MoS2 heteroyapısında MoO2'den çok sayıda elektrona neden olabilecek MoO2 miktarına atfedilmiştir. UV-VIS spektroskopi analizi, biri küçük diğeri büyük iki tane yasak bant boşluğunun varlığını göstermiştir. Bu geniş bir absorblama aralığı sunmaktadır. Bu bant aralıklarından biri, birkaç katmanlı MoS2'lerle uyumlu iken diğeri manyetik alan sıçratma sistemi ile büyütülen Mo-O ince filminin kalınlığı ile artmaktadır. Bu, nispeten düşük dalga boylarındaki soğurmayı açıklamaktadır aynı zamanda da MoO2 yapılarının MoS2'lerin yasak bant boşluklarını da ayarlamak için kullanılabileceğini de göstermektedir. Manyetik alan sıçratma sistemi ve CVD yönteminin kullanılmasıyla ortaya çıkan birleşik büyüme yöntemi, yeni nesil optoelektronik ve nanoelektronik cihazların yanı sıra diğer potansiyel uygulamalar için yüksek kaliteli ve homojen MoS2 ince filmler büyütmede etkili bir yöntem sunar.