Tio2/zno çift katmanlı yapıların yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2019
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Necmettin Erbakan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada reaktif manyetik alan sıçratma sistemi ile ZnO ince filmler 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC alttaş sıcaklıklarında SLG üzerine büyütülmüştür. Aynı sıcaklıklarda TiO2 hedef malzemesi kullanılarak manyetik alan sıçratma sistemi ile TiO2 ince filmler SLG üzerine büyütülmüştür. Elde edilen filmler yapısal, optik ve elektriksel olarak incelenmiştir. ZnO sıcaklığa bağlı olarak (002) ve (013) yönelimlerinde büyümüştür. Her iki malzemenin yasak bant aralıkları ZnO için ~3.2 eV ve TiO2 için ~3.55 eV bulunmuştur. Daha sonra 200 ve 450 oC'de ZnO yapısı üzerine TiO2 yapısı büyütülmüştür. Böylece iki tabakalı bir ince film elde edilmiştir. Tabakalı yapılar incelendiğinde anataz fazda olan TiO2'nin ZnO etkisiyle rutil faza dönüştüğü tespit edilmiştir. Meydana gelen iki-tabakalı yapının yasak bant aralığı ~3.1 eV tespit edilmiştir.
In this study, ZnO thin films were grown on SLG substrate at temperatures of 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC by reactive magnetron sputtering system. TiO2 thin films were grown on SLG by magnetron sputtering system using TiO2 target material at the same temperatures. The films obtained were examined structurally, optically and electrically. ZnO grew at (002) and (013) orientations depending on temperature. Bandgaps of both materials were found to be ~ 3.2 eV for ZnO and ~ 3.55 eV for TiO2. The TiO2 structure was then grown on the ZnO structure at 200 ve 450 oC. Thus, a two-layer thin film was obtained. When the this structures were investigated, it was found that TiO2, which is in the anatase phase, was turn to rutile phase with the effect of ZnO. The band gap of the two-layer structure was determined as ~ 3.1 eV.
In this study, ZnO thin films were grown on SLG substrate at temperatures of 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC by reactive magnetron sputtering system. TiO2 thin films were grown on SLG by magnetron sputtering system using TiO2 target material at the same temperatures. The films obtained were examined structurally, optically and electrically. ZnO grew at (002) and (013) orientations depending on temperature. Bandgaps of both materials were found to be ~ 3.2 eV for ZnO and ~ 3.55 eV for TiO2. The TiO2 structure was then grown on the ZnO structure at 200 ve 450 oC. Thus, a two-layer thin film was obtained. When the this structures were investigated, it was found that TiO2, which is in the anatase phase, was turn to rutile phase with the effect of ZnO. The band gap of the two-layer structure was determined as ~ 3.1 eV.
Açıklama
Yüksek Lisans Tezi
Anahtar Kelimeler
ZnO ince film, TiO2 ince film, Manyetik alan sıçratma, saydam iletken oksitler, tabakalı ince filmler, ZnO thin film, TiO2 thin film, Magnetron sputtering, transparent conductive oxides, layered thin films
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Uzal, T. E. (2019). Tio2/zno çift katmanlı yapıların yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Necmettin Erbakan Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Konya.
