Tio2/zno çift katmanlı yapıların yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridDanışman: 5502en_US
dc.contributor.advisorDoğan, Oğuz
dc.contributor.authorUzal, Tuğba Ebru
dc.date.accessioned2020-12-23T08:09:55Z
dc.date.available2020-12-23T08:09:55Z
dc.date.issued2019en_US
dc.date.submitted2019-09-30
dc.departmentNEÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanobilim Nanomühendislik Anabilim Dalıen_US
dc.descriptionYüksek Lisans Tezien_US
dc.description.abstractBu çalışmada reaktif manyetik alan sıçratma sistemi ile ZnO ince filmler 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC alttaş sıcaklıklarında SLG üzerine büyütülmüştür. Aynı sıcaklıklarda TiO2 hedef malzemesi kullanılarak manyetik alan sıçratma sistemi ile TiO2 ince filmler SLG üzerine büyütülmüştür. Elde edilen filmler yapısal, optik ve elektriksel olarak incelenmiştir. ZnO sıcaklığa bağlı olarak (002) ve (013) yönelimlerinde büyümüştür. Her iki malzemenin yasak bant aralıkları ZnO için ~3.2 eV ve TiO2 için ~3.55 eV bulunmuştur. Daha sonra 200 ve 450 oC'de ZnO yapısı üzerine TiO2 yapısı büyütülmüştür. Böylece iki tabakalı bir ince film elde edilmiştir. Tabakalı yapılar incelendiğinde anataz fazda olan TiO2'nin ZnO etkisiyle rutil faza dönüştüğü tespit edilmiştir. Meydana gelen iki-tabakalı yapının yasak bant aralığı ~3.1 eV tespit edilmiştir.en_US
dc.description.abstractIn this study, ZnO thin films were grown on SLG substrate at temperatures of 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC by reactive magnetron sputtering system. TiO2 thin films were grown on SLG by magnetron sputtering system using TiO2 target material at the same temperatures. The films obtained were examined structurally, optically and electrically. ZnO grew at (002) and (013) orientations depending on temperature. Bandgaps of both materials were found to be ~ 3.2 eV for ZnO and ~ 3.55 eV for TiO2. The TiO2 structure was then grown on the ZnO structure at 200 ve 450 oC. Thus, a two-layer thin film was obtained. When the this structures were investigated, it was found that TiO2, which is in the anatase phase, was turn to rutile phase with the effect of ZnO. The band gap of the two-layer structure was determined as ~ 3.1 eV.en_US
dc.identifier.citationUzal, T. E. (2019). Tio2/zno çift katmanlı yapıların yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Necmettin Erbakan Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12452/6586
dc.language.isotren_US
dc.publisherNecmettin Erbakan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectZnO ince filmen_US
dc.subjectTiO2 ince filmen_US
dc.subjectManyetik alan sıçratmaen_US
dc.subjectsaydam iletken oksitleren_US
dc.subjecttabakalı ince filmleren_US
dc.subjectZnO thin filmen_US
dc.subjectTiO2 thin filmen_US
dc.subjectMagnetron sputteringen_US
dc.subjecttransparent conductive oxidesen_US
dc.subjectlayered thin filmsen_US
dc.titleTio2/zno çift katmanlı yapıların yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesien_US
dc.title.alternativeInvestigation of structural, optical and electrical properties of tio2 / zno multi layer structuresen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Uzal, Tuğba Ebru.pdf
Boyut:
960.72 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Yüksek Lisans Tezi
İndir

Koleksiyon

Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı Koleksiyonu