İki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör geliştirilmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridDanışman: 0000-0001-6837-2087en_US
dc.authorid0000-0002-6819-5639en_US
dc.contributor.advisorErişmiş, Mehmet Akif
dc.contributor.authorÖztürkmen, Sait
dc.date.accessioned2021-03-01T07:25:00Z
dc.date.available2021-03-01T07:25:00Z
dc.date.issued2020en_US
dc.departmentNEÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalıen_US
dc.descriptionYüksek Lisans Tezien_US
dc.description.abstractİki boyutlu malzemelere olan ilgi son yıllarda hızla artmaktadır. Bunun sebebi de iki boyutlu malzeme kavramının literatürde oldukça yeni konu olmasıdır. Bu çalışmada iki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör (FET) üretimi gerçekleştirilmeye çalışılmıştır. Bu üretim için özgün bir tasarım gerçekleştirilmiş ve bu tasarımın gerçekleştirilmesi için gerekli maske tasarımı Klayout programı yapılmıştır. Bu maske tasarımında elektrotlar arasındaki mesafe, iki boyutlu malzemenin kalınlığı ve kapı elektrodunun genişliği gibi farklı parametrelerde tasarımlar yapılmıştır. Tasarlanan bu maske ile transistörler üretilmiştir. Yapılan testler sonucunda bir transistörün yaklaşık olarak 27 Volt değerinde dirac gerilimi olduğu gözlemlenmiş ve bu dirac voltajı değerinde 52 kOhm değerinde iç direnç ölçülmüştür. Necmettin Erbakan Üniversite'sinde ilk defa iki boyutlu malzemeler kullanılarak transistör üretilmiştir ve bu konuda bilgi ve tecrübe birikimi elde edilmiştir. Bu elde edilen bilgi birikimi ile iki boyutlu malzeme temelli transistörlerle yapılacak sensör gibi uygulamalara temel oluşturulmuştur.en_US
dc.description.abstractInterest in two-dimensional materials has been increasing rapidly in recent years. This is because the concept of two-dimensional material is a fairly new topic in the literature. In this study, two dimensional material based field effect transistor (FET) production has been tried to be practiced. An original design was made for this production and the mask design required for the realization of this design was made with the Klayout program. In this mask design, different parameters such as the distance between the electrodes, the thickness of the two-dimensional material and the width of the gate electrode are designed. Transistors were produced with this designed mask. As a result of the tests, it was observed that a transistor had a dirac voltage of approximately 27 Volts and an internal resistance of 52 kOhm was measured at this dirac voltage value. Transistors were produced for the first time in Necmettin Erbakan University by using two-dimensional materials and knowledge and experience was gained in this regard. With this knowledge, the basis for applications such as sensors to be made with two-dimensional material-based transistors was formed.en_US
dc.identifier.citationÖztürkmen, S. (2020). İki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör geliştirilmesi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Necmettin Erbakan Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12452/7150
dc.language.isotren_US
dc.publisherNecmettin Erbakan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectGrafenen_US
dc.subjectGFETen_US
dc.subjectMEMSen_US
dc.subjectIki Boyutlu Malzemeleren_US
dc.subjectGrapheneen_US
dc.subject2-Dimension Materialsen_US
dc.titleİki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör geliştirilmesien_US
dc.title.alternative2-dimension material based field effect transistor fabricationen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
654126.pdf
Boyut:
6.92 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Yüksek Lisans Tezi
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleskiyonu