VO2 İnce Film İçeren İki Boyutlu ve Çok Katmanlı Yapılardaki Arayüzey Gerilmelerinin Termokromik ve Fotodetektör Performanslara Etkisi

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridDanışman: 0000-0001-7395-4364en_US
dc.authorid0000-0001-8473-8253en_US
dc.contributor.advisorEker, Yasin Ramazan
dc.contributor.authorBasyooni Mohamed, Mohamed Ali
dc.date.accessioned2020-12-23T08:14:31Z
dc.date.available2020-12-23T08:14:31Z
dc.date.issued2020en_US
dc.date.submitted2020-08-04
dc.departmentNEÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanobilim Nanomühendislik Anabilim Dalıen_US
dc.descriptionYüksek Lisans Tezien_US
dc.description.abstractYüksek korelasyonlu malzemelerin elektronik yapıları, manyetik özellikleri, spinleri ve mekanik gerilmeleri birbirleri ile güçlü bir şekilde ilişkilidir. Bundan dolayı metal-yalıtkan geçişleri, spin-yük ayrımı veya yüksek sıcaklık süper iletkenliğe geçiş gibi olaylar gözlemlenebilmektedir. Enerji tasarruflu malzemeler arasında, vanadyum oksit (VO2) yaklaşık 68oC kritik sıcaklığında (Tc) metal yarı iletken geçişi (MIT) sergileyen en basit oksitlerden biri olarak kabul edilir. Elektronik veya opto-elektronik alanlarında ise iki boyutlu geçiş metali dikalkojenit (TMD) malzemeleri elektrik, optik ve ayarlanabilir bant aralığı özellikleri sayesinde kullanılabilmektedir. Tek aktif katmanlı aygıtlarda düşük taşıyıcı hareketliliği veya foto-lüminesans verimlilikleri gibi çeşitli sorunlar performansları sınırlamaktadır. MoS2, MoO3 veya WO3 gibi yüksek korelasyonlu malzeme içeren çok katmanlı yapılarda ise iyileştirmeler görülmüştür. Mevcut çalışmada manyetik alan sıçratma ve kimyasal buhar biriktirme yöntemleri kullanılarak VO2 esaslı çok katmanlı yapıların termokromik akıllı cam ve foto-detektör aygıt performanslarının katman özelliklerinden nasıl etkilendiği araştırılmıştır. Özellikle katmanların stokiyometrisi (Mo/W içeriği veya W katkısı) ve kalınlığının yapıların performanslarına etkisi incelenmiştir. Çok katmanlı malzemelerin karakterizasyonu (SEM-EDS, AFM, XRD, Raman) tamamlandıktan sonra termokromik yapılarda sıcaklığın elektrik özelliklere etkisi, foto-detektör aygıtlarda ise foto-lüminesans şiddeti ve kinetiği takip edilmiştir. Tc = 36oC olarak belirlenen MoWO3/VO2+W/MoO3 yapının optimum termokromik özelliklere sahip olduğu belirlenmiştir. 60 saniye MoS2 büyütme süresiyle hazırlanan MoWO3/VO2/MoS2/Si yapıda ise en verimli foto-deteksiyonun sağlandığı tespit edilmiştir.en_US
dc.description.abstractThe electronic structures, magnetic properties, spin and mechanical stresses of strongly correlated materials are highly associated with each other. Therefore, phenomena such as metal-insulator transitions, spin-charge separation or transition at high temperature superconductivity can be observed. Among energy efficiency materials, vanadium oxide (VO2) is considered one of the simplest oxides exhibiting metal semiconductor transition (MIT) at a critical temperature (Tc) of about 68oC. In electronics or opto-electronics fields, two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMD) materials can be used thanks to their electrical, optical and adjustable band gap properties. In single active layer devices, performance is limited due to problems such as low carrier mobility or low photo-luminescence efficiencies. Improvements have been observed in multilayer structures containing highly correlated materials such as MoS2, MoO3 or WO3. In the present study, VO2 based multilayer structures have been prepared using magnetic field sputtering and/or chemical vapor deposition methods. The effect of thin films properties especially their stoichiometry (Mo / W content or W doping) and/or their thickness on the thermochromic smart glass and the photo-detector device performance has been investigated. After their characterization (SEM-EDS, AFM, XRD, Raman), the effect of temperature on the electrical properties in thermochromic structures, and the photo-luminescence intensity and kinetics in photo-detector devices were followed. It was determined that with Tc = 36oC, MoWO3/VO2+W/MoO3 structure has the optimum thermochromic properties, while the most efficient photo-detection was observed with the MoWO3/VO2/MoS2/Si structure prepared with 60 seconds MoS2 sputtering time.en_US
dc.identifier.citationBasyon Mohamed, M. A. (2020). “VO2 İnce Film İçeren İki Boyutlu ve Çok Katmanlı Yapılardaki Arayüzey Gerilmelerinin Termokromik ve Fotodetektör Performanslara Etkisi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Necmettin Erbakan Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12452/6587
dc.language.isotren_US
dc.publisherNecmettin Erbakan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subject2D malzemeleren_US
dc.subjectFoto-detektören_US
dc.subjectMolibden disülfiten_US
dc.subjectNanoyapılı ince filmen_US
dc.subjectTermokromik malzemeleren_US
dc.subjectVanadyum dioksiten_US
dc.subject2D materialsen_US
dc.subjectMolybdenum disulfideen_US
dc.subjectNanostructured thin filmen_US
dc.subjectPhotodetectoren_US
dc.subjectThermochromic materialsen_US
dc.subjectVanadium dioxideen_US
dc.titleVO2 İnce Film İçeren İki Boyutlu ve Çok Katmanlı Yapılardaki Arayüzey Gerilmelerinin Termokromik ve Fotodetektör Performanslara Etkisien_US
dc.title.alternativeEFFECT OF INTERFACES AND STRAIN ENGINEERING OF VO2 THIN FILM ON THE PERFORMANCE OF THERMOCHROMIC AND PHOTODETECTOR BASED TWO-DIMENSIONAL AND MULTILAYER HETEROSTRUCTUREen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
M.A.BASYOONİ.pdf
Boyut:
5.31 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Yüksek Lisans Tezi
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleskiyonu